7月10日，国家半导体照明工程研发及产业联盟(以下简称“CSA”)硅基LED专业委员会(以下简称“硅基专委会”)成立筹备会通过线上视频会议形式顺利召开。CSA吴玲理事长、南昌大学江风益院士、半导体照明联合创新国家重点实验室李晋闽主任、中科院苏州纳米所徐科副所长、南昌光谷集团王敏董事长、CSA唐国庆副理事长等专家以及来自南昌大学、南京大学、南京工业大学、中科院半导体所、中科院苏州纳米所、晶能光电、国星光电、木林森、升谱光电、易美光电、北京良业、江西金黄光、晶众腾光电、晶能半导体、绿野汽车照明、汉华光电子、洲明科技、中节能晶和、佳因光电、中微半导体、有研稀土等28家单位，共计40人参加此次筹备会。

　　CSA阮军秘书长主持会议，首先介绍了硅基专委会筹备背景。硅基LED作为由中国创新引领的半导体照明技术路线，芯片技术不断取得突破。继2015年硅基蓝光LED获得国家技术发明一等奖后，“十三五”期间，南昌大学团队在黄光和绿光LED芯片方面也取得重要突破，达到国际领先水平，获得了中村修二等国内外权威专家的高度认可。硅基LED芯片技术虽然在路灯、手机闪光灯、移动照明等领域获得规模化应用，但总体规模还不大。此外，基于硅基GaN材料制作的电力电子、微波射频器件，在5G通讯、消费类电子等领域也拥有广阔的市场应用空间。为了加快硅基LED技术进步和产业化以及拓展创新应用领域，CSA经过和相关单位沟通后启动了专委会筹建工作。

　　CSA吴玲理事长在致辞中表示，硅基LED作为三条技术路线之一，在很多应用领域取得了非常好的成绩。此外，围绕需求创造新的应用，硅基LED在光互联、光通讯、光健康等领域有非常大的发展空间。面向“十四五”，科技部除考虑重点研发计划以外，在国家技术创新中心建设以及通过示范应用推动新基建技术升级等方面，也在考虑对第三代半导体材料进行支持。希望硅基LED专委会能够进一步加强技术融合、跨界的研发，在技术突破之外，更多的考虑硅基LED的应用如何落地;打通技术链条的同时，在标准、检测、认证等方面补齐短板;围绕硅基LED和未来更广泛的应用形成强大的力量，在未来能够取得标志性成果。

　　李晋闽主任祝贺硅基专委会成立筹备会的顺利召开，希望通过专委会进一步推动硅基LED技术的发展。联盟去年进行了换届，相信在新一届领导班子的带领下，联盟将再创辉煌。LED还有很多技术、科学的问题需要我们去解决，联盟应继续发挥更大的组织、协调作用。硅基GaN将来无论是照明，还是进一步延伸到红外、紫外、射频都会有广泛的应用，硅基专委会在未来的工作中都会有巨大发展空间，衷心希望各方在推动硅基LED应用当中，尽一些绵薄之力。

　　与会专家和企业代表一致肯定了硅基专委会建设的意义和重要性，并对专委会建设、下一步重点工作，以及专委会工作条例进行了充分讨论，为硅基专委会下一步发展献计献策，建议硅基专委会扩大应用企业范围，特别是加强在健康照明、农业照明、可见光通讯等创新应用领域的衔接;建议专委会在扩大硅基LED产品在全国的认可度和扩大推广方面多做工作;建议下一步加强技术交叉，跨界合作，推动中国技术走出去。

　　江风益院士在会议总结时表示，今天有来自大学、研究所、上中下游企业等28家单位40位代表参加会议，参会单位具有广泛的代表性。江风益院士介绍了硅基氮化镓材料的最新进展，硅基蓝光LED已实现产业化，在部分细分市场站稳了脚跟。硅基绿光、黄光、金黄光也取得了比较好的进展，在一些专用市场用的很好。Micro-LED技术有两大瓶颈，一个是巨量转移，一个是小尺寸红光LED。由于磷化镓材料体系的物理本质决定，到Micro-LED尺寸范围，磷化镓体系的红光LED的效率非常低。现在大家希望用氮化镓体系实现RBG三色，蓝光、绿光早已经实现了，但红光存在巨大挑战，高In组分材料非常难制备。南昌大学在Micro-LED电流密度范围内，在硅衬底上制备的InGaN红光LED已经取得了比较好的进展，光效大幅度提升。硅衬底氮化镓材料往长波长发展，做绿光、黄光、红光潜力很大;往短波长发展，做近紫外，中紫外、深紫外LED也有它的发展潜力。硅基氮化镓作为一代材料，发展一代技术会带来一代产业。由于材料质量的提高，除光电器件以外，硅基氮化镓在电力电子器件、射频器件方面也有研究价值。今天筹备成立硅基LED专业委员会，希望在联盟领导下，专委会成员产学研通力协作，各单位在不同角度发挥各自优势，进行研究和开发，产学研深度融合，上中下游深度融合，希望硅基LED为半导体照明产业发展增添新的活力。

　　下一步CSA将根据与会专家意见和建议，完善硅基专委会筹建方案和工作条例，根据CSA专委会建设程序，尽快推动硅基专委会正式成立。

编辑：严志祥

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来源：城市光网